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功率器件SJ-MOSFET产品（pǐn）优势及应用点击查看选（xuǎn）型（xíng）表

SJ-MOSFET产（chǎn）品优势

晶圆工艺: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺，更少的光（guāng）罩层数，生产周期更短，更（gèng）具成本优势
低内阻: 特殊的超结结（jié）构让（ràng）高压超结MOS内阻在同样面积情（qíng）况（kuàng）下降低到VDMOS的1/3-1/5
更（gèng）高效率: 较高（gāo）的（de）轻载，满载（zǎi）效率，超低的导（dǎo）通内阻，有效的降低导通、开关损耗
低温（wēn）升（shēng）: 较低的功耗，有效（xiào）的降低电源整（zhěng）体（tǐ）的（de）工作温度，延长电源的使用寿命
易用性（xìng）: 使用过程中简单易用，驱动电流需求小，对新一代高速开关电源提供（gòng）有力的支持
应用范围广: 适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器及智（zhì）能（néng）手机、平板电脑充电（diàn）器（qì）中，以（yǐ）及大功（gōng）率充电桩， LED电源、通讯（xùn）、服务器电源等（děng）

SJ-MOSFET产（chǎn）品应用